Комп'ютерні новини
Всі розділи
Samsung перейде на 3-нм техпроцес у 2022 році з новим поколінням транзисторів
Згідно з останньою інформацією, у 2022 році Intel планує повністю перевести всі свої продукти на техпроцес 7+ нм. У тому ж році Samsung представить 3-нм технологію Gate-All-Around FET (GAAFET), частиною якої є Multi Bridge Channel FET (MBCFET).
У минулому році Samsung вперше повідомила про їх розробку, а тепер з'явилися додаткові технічні подробиці. MBCFET обіцяє знизити енергоспоживання на 50% і підняти продуктивність на 30% в порівнянні з неназваним 7-нм техпроцесом. Площа одного транзистора зменшиться на 45%. До того ж технологія дозволяє використовувати стекову структуру для розміщення транзисторів і регулювати його ширину під різні сценарії - від створення енергоефективних чіпів до високопродуктивних.
