up
ua ru
menu


chieftec_ban_160.gif

Новини: > 2015 > 08 > 11

rss

Samsung почала масове виробництво 256-гігабітних 3D V-NAND флеш-мікросхем

Компанія Samsung повідомила про запуск у масове виробництво перших в індустрії 256-гігабітних (32-гігабайтних) тривимірних (3D) флеш-мікросхем V-NAND, які використовують 48-шарову структуру та можуть зберігати 3 біти інформації в одній комірці.

Samsung 3D V-NAND

Нагадаємо, що в серпні 2014 року компанія Samsung представила друге покоління флеш-мікросхем V-NAND, яке використовує 32-шарову структуру та дозволяє зберігати 3 біти даних в одній комірці. Саме на основі цих мікросхем побудовані 2-терабайтні моделі твердотільних дисків серій Samsung 850 Pro і 850 EVO. Таким чином, представлені мікросхеми V-NAND третього покоління з 48-шаровою структурою та обсягом 256-гігабіт дозволять подвоїти максимальний обсяг при збереженні поточної кількості чіпів на диску або ж у два рази зменшити кількість чіпів для досягнення аналогічного обсягу кінцевого SSD.

До того ж новинки характеризуються 30% зниженням енергоспоживання та 40% підвищенням швидкодії в порівнянні з 32-шаровими чіпами V-NAND другого покоління. Використовуватися ж дані мікросхеми будуть не тільки в користувацьких твердотільних дисках, але й у серверних SSD з інтерфейсом NVMe і SAS.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Новина прочитана 824 раз(ів)

Теги: 3d   nand   nvme   samsung   sas   ssd   


<< попередня новина     наступна новина >>





Социальные комментарии Cackle

Рекомендовані відео:


Пошук на сайті
Поштова розсилка
facebook vk YouTube
google+ twitter rss
top10

vote

Голосування