up
ua ru
menu


ASUS_Quiz_1.gif

Новини: > 2010 > 12 > 21

rss

Нові модулі оперативної пам’яті Elpida 4 ГБ DDR3 SO-DIMM на базі 30-нм чіпів

Японська компанія Elpida оголосила про виготовлення перших зразків нових 4 ГБ модулів оперативної пам’яті стандарту DDR3 SO-DIMM на основі 30-нм мікросхем. Новинки функціонують на тактовій частоті 1866 МГц при напрузі живлення 1,5 В. Нові модулі пам’яті від компанії Elpida орієнтовані на використання у мобільних комп’ютерах. В порівнянні з 40-нм чіпами, нові рішення споживають на 20% менше струму в активному режимі та на 30% – в режимі очікування. Це дозволяє суттєво знизити навантаження на батарею, збільшивши час автономної роботи. Також відзначимо, що перехід на тонший техпроцес дозволить збільшити ефективність використання матеріалів, що в кінцевому випадку приведе до зменшення собівартості їх виготовлення.

Масове виробництво нових 4 ГБ модулів пам’яті на базі 30-нм мікросхем компанія Elpida планує налагодити в першому кварталі 2011 року.

Таблиця технічної специфікації нових модулів оперативної пам’яті від компанії Elpida виглядає наступним чином: 

Стандарт пам’яті

DDR3 SO-DIMM

Тип модуля

204-контактний

Техпроцес виготовлення, нм

30

Об’єм, ГБ

4

Тактова частота, МГц

1866

Номінальна напруга живлення, В

1,5

Діапазон робочих температур, ºС

0…+95

http://www.tcmagazine.com
http://www.elpida.com
Сергій Буділовський

Новина прочитана 548 раз(ів)

Теги: ddr3   elpida   so-dimm   


<< попередня новина     наступна новина >>

Социальные комментарии Cackle

Рекомендовані відео:


Пошук на сайті
Поштова розсилка
top10

vote

Голосування