Пошук по сайту

up

Комп'ютерні новини

Всі розділи

Оприлюднено рівень продуктивності 20-нм SSD-накопичувачів

Незважаючи на той факт, що компанія Intel планує розпочати масове виробництво 20-нм мікросхем NAND флеш-пам’яті не раніше третього кварталу поточного року, вже з’явилися перші результати продуктивності нових SSD-накопичувачів, створених на їх основі. В якості контролера новинки використовують високопродуктивне рішення SandForce SF2281.

F3 вказує на використання 20-нм флеш-мікросхем пам’яті 

Для тестування нових 20-нм SSD-накопичувачів була зібрана система на базі материнської плати з серії MSI Z77. Параметри продуктивності визначилися за допомогою програм HD Tune Pro 5.0, CrystalDiskMark 3.0.1, AS SSD Benchmark 1.6.4237.30508 та PCMark 7 1.0.4.

В результаті швидкість послідовного читання інформації склала 410-418 МБ/с, а запису – 152 – 159 МБ/с. Як зазначають аналітики це на 10% нижче показників аналогічних 25-нм рішень. Більш того, падіння продуктивності при довільному опрацюванні 4 КБ даних ще значніше. Однак варто взяти до уваги той факт, що зараз проходить випробувальний період для нових 20-нм SSD-накопичувачів, в рамках якого оптимізується їх прошивка та рівень продуктивності. Тому фінальні показники обіцяють бути кращими, а перехід до норм нового техпроцесу дозволить здійснити 5-10% зменшення ціни флеш-пам’яті.

http://en.expreview.com
Сергій Буділовський