up
ua ru
menu


ASUS_Quiz_1.gif

Новини: > 2011 > 04 > 16

rss

Intel та Micron розробили 20-нм NAND флеш-мікросхеми пам’яті

Компанія IM Flash Technologies, яка є спільним підприємством Intel та Micron, оголосила про успішне завершення процесу розробки 8 ГБ (64 Гб) NAND флеш-мікросхем пам’яті з багаторівневою структурою комірок (MLC), при виготовленні яких використовувалися норми 20-нм технологічного процесу. Нагадаємо, що на сьогоднішній день основні представники ринку SSD-накопичувачів лише починають випускати перші рішення на базі 25-нм технології, завершивши перехід від 34-нм мікросхем.  

Нові 8 ГБ NAND флеш-чіпи пам’яті володіють площею 118 мм2, що складає на 30-40% менше, ніж у рішень виготовлених з використанням 25-нм техпроцесу. Це дозволяє ефективніше використовувати матеріальні ресурси, підвищити щільність запису інформації та збільшити об’єм SSD-накопичувачів при використанні стандартного форм-фактору.

 

Що ж стосується рівня продуктивності та довговічності новинок, то за даними показниками вони не поступаються своїм попередникам. Очікується, що у масовий продаж 20-нм 8 ГБ NAND флеш-мікросхеми пам’яті надійдуть у другій половині 2011 року, однак перші SSD-накопичувачі, виготовлені на їх основі, з’являться не раніше 2012.

Також стало відомо, що компанія IM Flash Technologies незабаром представить 16 ГБ NAND флеш-мікросхеми, які також використовують норми 20-нм техпроцесу. При цьому, розміри новинок будуть менші, ніж у поштової марки США.

http://www.tcmagazine.com
http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Новина прочитана 245 раз(ів)



<< попередня новина     наступна новина >>

Социальные комментарии Cackle

Рекомендовані відео:


Пошук на сайті
Поштова розсилка
top10

vote

Голосування