up
ua ru
menu

msi-achieve_a_new_level_of_cool-banner-160x600.jpg

GOODRAM-SSD-Iridium-PRO.gif

Новини: > 2014 > 11 > 22

rss

Технологія Intel 3D NAND дозволить випускати SSD-диски ємністю 10 ТБ

Компанія Intel порадувала відмінною новиною: у другій половині 2015 року будуть представлені SSD-накопичувачі, створені на основі технології 3D NAND, розробленої в парі з компанією Micron. Стекова структура нових флеш-мікросхем пам'яті поєднує в собі 32 площинні шари, що дозволяє одержувати обсяг 256 Гбіт (32 ГБ) на одному MLC-ядрі. Якщо ж використовувати технологію TLC (дозволяє зберігати три біти інформації в одній комірці), то ємність ядра збільшується до 384 Гбіт (48 ГБ). Подальший розвиток технології Intel 3D NAND дозволить створювати твердотільні диски обсягом 10 ТБ або ж компактні мобільні рішення ємність 1 ТБ і товщиною всього 2 мм.

Intel 3D NAND

Ключовим же конкурентом поки виступає технологія Samsung V-NAND, мікросхеми якої також використовують 32-шарову структуру ядра. В MLC-виконанні вона реалізує обсяг 86 Гбіт (10,75 ГБ), а в TLC – 128 Гбіт (16 ГБ). У другій половині 2015 року планується дебют другого покоління технології Samsung V-NAND. Цілком можливо, що вона принесе із собою більш високі показники реалізованого обсягу.

http://techreport.com
Сергій Буділовський

Новина прочитана 2204 раз(ів)

Теги: 3d   intel   micron   nand   samsung   


<< попередня новина     наступна новина >>

Социальные комментарии Cackle

Рекомендовані відео:


Пошук на сайті
Поштова розсилка
top10

vote

Голосування