В сфері нових технологій. Випуск 27

Вчора у Сан-Франциско (США) стартувала 54-та конференція-виставка International Electron Devices Meeting (IEDM),запланована на період з 15 по 17 грудня, про учасників якої можна довідатися з офіційного сайту виставки. Тому більшість компаній підготували на час її проведення цікаві доповіді про досягнуті результати і план перспектив подальшого розвитку.

Так, самим знаменним на цій конференції стала офіційна інформація про завершення корпорацією Intel розробки 32-нанометрової технології виробництва мікрочіпів. Новий технологічний процес передбачає застосування 193-нм іммерсійної літографії і методики HKMG (high-k + metal gate) другого покоління, що заснована на використанні діелектриків з високою проникністю (high-k) і транзисторів з металевими затворами (metal gate), що обумовить підвищення продуктивності та зниження енергоспоживання процесорів Intel.

Варто відзначити, що допуски процесу літографії - один з основних факторів при виготовленні чіпів і мікропроцесорів, що визначає майбутні розміри елементів і їх взаємне розташування на кремнієвій пластині. Основним напрямком у розвитку літографії є підвищення роздільної здатності методу, що дозволяє «зображувати» більш мініатюрні мікроелементи чіпа.

Передбачається, що серійне виробництво продукції по 32-нм технології почнеться в четвертому кварталі 2009 року. Крім того, компанія повідомляє, що забезпечить найвищу щільність і продуктивність мікротранзисторів серед будь-яких інших 32-нм технологій в індустрії. Зокрема, цей техпроцес буде застосовуватися при випуску апаратної платформи для нетбуків нового покоління, відомої під кодовою назвою Medfield. Портативні пристрої, побудовані на цій платформі, як очікується, з'являться на ринку в 2010 році, їх компанія Intel також анонсувала на конференції IEDM .

Основою платформи стане система на чіпі, що поєднує центральне обчислювальне ядро, контролер пам'яті, засоби введення/виводу і графічний контролер. З переходом на Medfield нетбуки, як очікується, матимуть розширену підтримку засобів бездротового зв'язку (мова про WiMAX, 3G/HSPA і LTE), сенсорних дисплеїв і GPS. Час автономної роботи при цьому зросте з двох-трьох до п'яти годин.

Крім того, Intel почала продаж перших процесорів Core i7 на базі архітектури Nehalem. Платформа Nehalem припускає застосування системної архітектури QuickPath Interconnect, що включає вбудований контролер пам'яті і вдосконалені канали зв'язку між компонентами. Виробництво чіпів Core i7 здійснюється по 45-нанометровій технології. На сьогоднішній день процесор Intel Core i7 вже розігнаний умільцями, які з зазначеного на маркуванні рівня частоти в 3,2 ГГц змусили її піднятись до 5,51 ГГц, про що більш докладно бажаючі можуть знайти тут. Настільні комп'ютери на основі чіпів Core i7 вже пропонують відомі виробники, такі як Dell, Alienware, Falcon Northwest і інші.

Відзначимо також, що розгону добре піддаються і чотирьохядерні чіпи AMD Phenom II, які днями надійшли в продаж. У період недавньої демонстрації можливостей Phenom II компанія AMD підвищила частоту цього процесора з 3 ГГц до 6,3 ГГц, щоправда, застосувавши в системі охолодження рідкий азот.

Варто відзначити, що компанія AMD, завдяки партнерству з IBM, Freescale, Toshiba, TSMC і CNSE представила робочий 22 нм чіп SRAM, а це означає, що в найближчому майбутньому можуть з'явитися інженерні зразки процесорів з техпроцесом 22 нм в основі. Все-таки, нові інтегральні мікросхеми по 22-нм техпроцессу компанії AMD будуть мати пріоритет, якщо часовий проміжок, від моменту випуску 32-нм продукції компанією Intel, не буде суттєвим.

Компанія планує в IV кварталі 2009 року випустити новий 55 нм чіпсет AMD 880G, що буде укомплектований південним мостом SB710 з підтримкою 12 портів USB і 6 портів SATA, і підтримувати Socket AM3 процесори (Athlon X4, Phenom II X3 і Phenom II X4), а також технологію OverDrive 3.0. Новинка буде частиною платформи AMD Live! "Pisces".

Цікаво відзначити, що AMD 880G буде включати інтегрований Radeon HD 3450 (RV620) з підтримкою DirectХ 10.1, пам'ять DDR3, HyperTransport 3.0, Universal Video Decoder 2 (UVD 2), Hybrid Crossfire (з можливістю встановлення дискретної відеокарти PCIe 2.0 x16) і набору Display Port/HDMI/DVI/SurroundView.

Серед інших запланованих доповідей на IEDM є не менш цікаві теми, наприклад, технологія виготовлення CMOS-мікросхем з інтегрованими RF-елементами із застосуванням транзисторів на основі фосфіду індію, розроблена співробітниками дослідницької лабораторії HRL Laboratories. Головна перевага такого підходу - підвищення швидкісних показників мікросхем, у порівнянні з традиційними кремнієвими пристроями, однак їх суттєвим недоліком є складність у виготовленні і високій вартості, при порівнянні з кремнієвими аналогами.

Цікавим обіцяє бути і доповідь співробітників Університету Тохоку (Tohoku University), у якій порушена тема застосування елементів на основі магнітного тунельного переходу для створення блоків зберігання інформації в мікропроцесорах з 3D-структурою високої щільності.

Компанії Intel, Samsung і TSMC оголосили про результати в області спільної розробки виробничих процесів з використанням кремнієвих підкладок діаметром 450 мм. Впровадження 450-мм підкладок зробить дешевшим виробництво мікросхем і скоротить споживання ресурсів.

І наприкінці відзначимо, що запущений цікавий проект World Community Grid компанією IBM і дослідниками Гарвардського університету, метою якого є пошук органічних матеріалів, які допомогли б створити високоефективні, але дешеві сонячні батареї. Особливістю проекту є залучення обчислювальних ресурсів великої кількості персональних комп'ютерів, що мають підключення до мережі Інтернет. Ідея - задіяти вільний «машинний час» ПК добровольців з різних країн світу, адже застосування такої великої кількості комп'ютерів дозволяє прискорити рішення наукових завдань, що наочно демонструють вже запущені успішні проекти.

Сонячна енергія є одною з найбільш привабливих альтернатив сучасним джерелам живлення. На жаль, ефективність сучасних кремнієвих батарей приблизно дорівнює 20%, а вартість електроенергії, вироблюваної з їх допомогою, вище, ніж вартість струму, одержуваного від більш звичних джерел. Нові батареї, які сподіваються створити у компанії IBM і Гарварді, будуть виготовлятися з пластику. Передбачається, що вони будуть гнучкими, легкими, і, головне, дешевими та високоефективними.

Отже, у ході роботи виставки IEDM у Сан-Франциско ми трохи довідалися і продовжуємо дізнаватися про цікаві проекти різних компаній. Наступна очікувана щорічна виставка International CES 2009 пройде з 8 по 11 січня в Лас Вегасі, у якій, за оцінками організаторів, візьмуть участь близько 2700 компаній з різних країн світу, експертів електронного ринку, зокрема - аудіо-, відео-, цифрової апаратури, мобільної електроніки, домашніх кінотеатрів і ін. Для одержання більше докладної інформації можна відвідати офіційний сайт виставки.

Автор: Анна Смірнова

Основні джерела:
IEDM 
Intel
CNET News
Сompulenta.ru 
Wikipedia.org 
Hothardware.com 
IBM